El MBR1060G de ON Semiconductor es un diodo rectificador Schottky de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia que requieren baja pérdida de energía y alta velocidad.
MBR1060G Diodo Schottky
$ 12.500
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Datasheet
Descripción
El MBR1060G de ON Semiconductor es un diodo rectificador Schottky de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia que requieren baja pérdida de energía y alta velocidad.
| Voltaje inverso repetitivo pico (VRRM) | 60 | V |
| Corriente directa promedio (Io) | 10 | A |
| Caída de voltaje directo (Vf) | 0.80 | V (a 10 A, TJ = 25 °C) |
| Corriente de sobretensión (IFSM) | 150 | A (media onda simple de 8.3 ms) |
| Rango de temperatura de unión (Tj) | -65 a +175 | °C |
| Encapsulado/Caja | TO-220AC (conducción por orificio, Through Hole) |
Información adicional
| Voltaje inverso repetitivo pico | 60V |
|---|---|
| Corriente directa promedio | 10A |
| Caída de voltaje directo | 0.80V |
| Corriente de sobretensión | 150A |
| Rango de temperatura de unión | -65 a +175°C |
| Encapsulado/Caja | TO-220AC (conducción por orificio, Through Hole) |
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