El MBR0530T3G es un diodo Schottky de montaje superficial fabricado por onsemi, diseñado para aplicaciones de baja tensión y alta frecuencia. Se caracteriza por su baja caída de tensión directa y su rápida velocidad de conmutación.
MBR0530T3G Diodo Schottky
$ 1.700
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Datasheet
Descripción
El MBR0530T3G es un diodo Schottky de montaje superficial fabricado por onsemi, diseñado para aplicaciones de baja tensión y alta frecuencia. Se caracteriza por su baja caída de tensión directa y su rápida velocidad de conmutación.
| Tensión Inversa Máxima (Vrrm) | 30 V |
| Corriente Directa Media (Io) | 500 mA (0.5 A) |
| Caída de Tensión Directa Máx. (Vf) | 0.43 V (430 mV) @ 500 mA |
| Corriente de Fuga Inversa Máx. (Ir) | 130 µA @ 30 V |
| Tipo de Encapsulado | SOD-123 (Montaje superficial SMD) |
| Temperatura de Operación | -65 °C a +125 °C (unión) |
Información adicional
| Tensión Inversa Máxima (Vrrm) | 30 V |
|---|---|
| Corriente Directa Media (Io) | 500 mA (0.5 A) |
| Caída de Tensión Directa Máx. (Vf) | 0.43 V (430 mV) @ 500 mA |
| Corriente de Fuga Inversa Máx. (Ir) | 130 µA @ 30 V |
| Tipo de Encapsulado | SOD-123 (Montaje superficial SMD) |
| Temperatura de Operación | -65 °C a +125 °C (unión) |
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