MBM29F800BA-70PFTN Dispositivo De Memoria Flash NOR

$ 45.000

4 disponibles

MBM29F800BA-70PFTN es un dispositivo de memoria Flash NOR de 8 megabits (1 MB x 8 bits / 512 kB x 16 bits). Es una memoria de 8Mbit de propósito general, con un tiempo de acceso rápido de 70 nanosegundos, y diseñada para ser programada y borrada eléctricamente en sistema (In-System Programmable, ISP).

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Datasheet

Descripción

MBM29F800BA-70PFTN es un dispositivo de memoria Flash NOR de 8 megabits (1 MB x 8 bits / 512 kB x 16 bits). Es una memoria de 8Mbit de propósito general, con un tiempo de acceso rápido de 70 nanosegundos, y diseñada para ser programada y borrada eléctricamente en sistema (In-System Programmable, ISP).

Especificaciones Clave
  • Tipo de Memoria: Flash NOR.
  • Capacidad: 8 Megabits (1 MB x 8 bits ó 512 kB x 16 bits, configurable).
  • Fabricante: Originalmente Fujitsu.
  • Tiempo de Acceso: 70 ns (indicado por el sufijo -70).
  • Tensión de Alimentación: 2.7 V a 3.6 V (Low Voltage Operation).
  • Encapsulado: Comúnmente en un encapsulado TSOP de 48 pines o BGA. El sufijo PFTN indica generalmente un TSOP de 48 pines.
  • Organización: Configurable en modo de 8 bits o 16 bits.
  • Interfaces: Interfaz paralela asíncrona estándar.
  • Programación/Borrado: Borrado por sector (Sector Erase), con sectores protegibles mediante hardware/software.

 

Información adicional

Tipo de Memoria

 Flash NOR

Capacidad

8 Megabits

Fabricante

Originalmente Fujitsu

Tiempo de Acceso

 70 ns

Tensión de Alimentación

2.7 V a 3.6 V

Encapsulado

TSOP de 48 pines

Organización

Configurable en modo de 8 bits o 16 bits

Interfaces

Interfaz paralela asíncrona estándar

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