El J113 es un transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N, no un MOSFET, diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel y amplificación. Es un dispositivo controlado por voltaje conocido por su alta impedancia de entrada y bajo ruido.
J113 Transistor Mosfet
$ 2.500
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Datasheet
Descripción
El J113 es un transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N, no un MOSFET, diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel y amplificación. Es un dispositivo controlado por voltaje conocido por su alta impedancia de entrada y bajo ruido.
| Tipo de Transistor | JFET de canal N (simétrico) |
| Voltaje Drenador-Compuerta (máx.) | 35 V |
| Voltaje Compuerta-Fuente (máx. inverso) | -35 V |
| Corriente de Compuerta Continua (máx.) | 50 mA |
| Disipación de Potencia (máx.) | 625 mW (en encapsulado TO-92) |
| Temperatura de Operación y Almacenamiento | -55 a +150 °C |
| Corriente de Drenaje con Voltaje de Compuerta Cero (Idss) | 2 mA (típico a VDS=15V) |
| Resistencia «On» del Drenador (rDS(on)) | 100 Ohms (típico) |
Información adicional
| Tipo de Transistor | JFET de canal N (simétrico) |
|---|---|
| Voltaje Drenador-Compuerta (máx.) | 35 V |
| Corriente de Compuerta Continua (máx.) | 50 mA |
| Disipación de Potencia | 625 mW (en encapsulado TO-92) |
| Temperatura de Operación y Almacenamiento | -55 a +150 °C |
| Corriente de Drenaje con Voltaje de Compuerta Cero (Idss) | 2 mA (típico a VDS=15V) |
| Resistencia | 100 Ohms |
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