El IXTP06N120P es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje (1200V), este modelo utiliza un encapsulado para montaje a través de orificio (Through-Hole), lo que facilita su disipación térmica en aplicaciones industriales de alta tensión.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 1200 V (1.2 kV) |
| Corriente de Drenaje Continua | 600 mA (0.6 A) |
| Resistencia en Conducción | 34 Ohm (máximo a 10V) |
| Disipación de Potencia Máxima | 42 W |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 2.0 V a 4.5 V |
| Carga de Puerta Total | 13.3 nC |
| Encapsulado | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +150 °C |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.