El IXTA06N120P es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje (1.2 kV). Está diseñado para ofrecer un equilibrio entre rendimiento y costo en aplicaciones que requieren conmutación eficiente a altas frecuencias.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 1200 V (1.2 kV) |
| Corriente de Drenaje Continua | 600 mA (0.6 A) |
| Resistencia en Conducción | 34Ohm (máximo a 10V) |
| Disipación de Potencia Máxima | 42 W |
| Carga de Puerta Total | 13.3 nC |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 2.0 V a 4.5 V |
| Encapsulado | TO-263 (D2PAK) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +150 °C |
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