El IXGH32N60BU1 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta velocidad, diseñado por IXYS para aplicaciones de conmutación de potencia media-alta.
Aquí tienes sus especificaciones clave sin abreviaturas:
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 600 Voltios.
- Corriente Continua del Colector (a 25 grados): 60 Amperios.
- Corriente Continua del Colector (a 90 grados): 32 Amperios (Capacidad real de trabajo constante bajo condiciones de calor).
- Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor: 2.5 Voltios (Pérdida de energía cuando el transistor está encendido al máximo).
- Disipación de Potencia Máxima: 200 Vatios (Requiere un disipador de calor robusto).
- Frecuencia de Operación: Optimizado para conmutación de alta velocidad (Serie «U1»).
- Voltaje Máximo en la Puerta de Control: Más o menos 20 Voltios.
- Tipo de Encapsulado: TO-247AD (Formato de tres patillas grandes para alta potencia).
- Tiempo de Caída (Fall Time): 200 nanosegundos (Indica que puede apagarse muy rápidamente).
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