El IXGH16N170A es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de muy alto voltaje, fabricado por IXYS. A diferencia de los modelos anteriores de 600V, este componente está diseñado para aplicaciones de fuerza extrema y voltajes industriales elevados.
Especificaciones de Potencia
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 1700 Voltios (Es su característica más destacada, ideal para líneas de alta tensión).
- Corriente Continua del Colector (a 25 grados): 16 Amperios.
- Corriente Continua del Colector (a 90 grados): 10 Amperios (Capacidad real de trabajo bajo calor).
- Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor: 4.0 Voltios (Es más alto que en modelos de bajo voltaje debido a su gran capacidad de aislamiento).
- Disipación de Potencia Máxima: 150 Vatios.
- Voltaje Máximo en la Puerta de Control: Más o menos 20 Voltios.
- Tipo de Encapsulado: TO-247AD (Un formato robusto de tres patillas con excelente aislamiento entre ellas).
- Tiempo de Caída (Fall Time): 500 nanosegundos (Diseñado para frecuencias de conmutación bajas a moderadas).
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