IXFQ50N60P3 Transistor Mosfet

$ 16.500

5 disponibles

El IXFQ50N60P3 es un transistor MOSFET de potencia de canal N perteneciente a la serie PolarP3™ HiPerFET™ de IXYS (ahora parte de Littelfuse). Está diseñado para aplicaciones de alta potencia que requieren conmutación rápida y baja resistencia en conducción.

Tipo de Transistor MOSFET de Canal N (PolarP3™ HiPerFET™)
Voltaje Drenaje-Fuente  600 V
Corriente de Drenaje Continua  50 A
Resistencia en Conducción 
145m Ohm
Disipación de Potencia Máxima  1040 W (1.04 kW)
Carga de Puerta Total  94 nC
Voltaje de Umbral de Puerta  3.0 V a 5.0 V
Encapsulado TO-3P (Montaje a través de orificio / THT)
Temperatura de Operación  -55 °C a +150 °C

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SKU: 38000 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El IXFQ50N60P3 es un transistor MOSFET de potencia de canal N perteneciente a la serie PolarP3™ HiPerFET™ de IXYS (ahora parte de Littelfuse). Está diseñado para aplicaciones de alta potencia que requieren conmutación rápida y baja resistencia en conducción.

Este componente se utiliza principalmente en sistemas industriales de alto rendimiento, tales como:
  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC.
  • Cargadores de baterías para vehículos eléctricos.
  • Inversores de energía renovable y circuitos de corrección de factor de potencia (PFC).
  • Control de motores AC y DC, robótica y servocontrol.

Información adicional

Tipo de Transistor

MOSFET de Canal N (PolarP3™ HiPerFET™)

Voltaje Drenaje-Fuente 

600 V

Corriente de Drenaje Continua 

50 A 

Resistencia en Conducción 

145m Ohm

Disipación de Potencia Máxima 

1040 W (1.04 kW)

Carga de Puerta Total 

94 nC

Voltaje de Umbral de Puerta 

3.0 V a 5.0 V

Encapsulado

TO-3P 

Temperatura de Operación 

-55 °C a +150 °C

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