El IXFN100N50P es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento Está diseñado para soportar altos voltajes y corrientes con pérdidas de conmutación muy bajas. Cuenta con una alta capacidad de manejo de avalancha (Avalanche Rated) y un diodo intrínseco rápido.
IXFN100N50P MOSFET
$ 105.000
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Descripción
El IXFN100N50P es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento Está diseñado para soportar altos voltajes y corrientes con pérdidas de conmutación muy bajas. Cuenta con una alta capacidad de manejo de avalancha (Avalanche Rated) y un diodo intrínseco rápido.
Información adicional
| Voltaje drenaje-fuente | 500 V |
|---|---|
| Corriente continua de drenaje | 90 A |
| Resistencia en encendido | 0.049 Ω |
| Encapsulado | miniBLOC (SOT-227 / SOT-227B) |
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