El IXFH36N60P es un transistor MOSFET de potencia de canal N Está diseñado para ofrecer una alta eficiencia en aplicaciones de conmutación rápida gracias a su diodo intrínseco de recuperación rápida y su baja carga de puerta.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 600 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 36 A |
| Resistencia en Conducción | 190 m Ohm |
| Disipación de Potencia Máxima | 650 W |
| Carga de Puerta Total | 102 nC |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 3.0 V a 5.0 V |
| Encapsulado | TO-247AD (TO-247-3) |
| Tiempo de Recuperación del Diodo | 200 ns |
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