El IXDN609SIA es un circuito integrado de control de compuerta (Gate Driver) de lado bajo (low-side), de alta velocidad y ultra rápido. Está diseñado específicamente para conmutar de manera eficiente transistores de potencia MOSFET e IGBT en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
Características Principales
- Corriente de Salida Pico: Capaz de suministrar o absorber hasta 9 A de corriente de pico.
- Configuración de Entrada: No inversora (la salida sigue el mismo estado lógico que la entrada).
- Rango de Voltaje de Alimentación: Opera desde 4.5 V hasta 35 V.
- Tiempos de Conmutación Rápidos: Tiempo de subida (rise time) típico de 22 ns y tiempo de bajada (fall time) de 15 ns con cargas estándar.
- Encapsulado: Viene en un formato SOIC-8 de montaje superficial (SMD).
- Inmunidad: Cuenta con protección contra enganches (latch-up) y circuitos internos que eliminan la conducción cruzada (shoot-through).
- Rango de Temperatura: Diseñado para entornos industriales y extendidos con soporte de -40 °C a +125 °C.
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