El IXDN602SI es un circuito integrado de control de compuerta (gate driver) de alta velocidad y doble salida, fabricado por IXYS Integrated Circuits Division. Está diseñado específicamente para activar y desactivar de forma eficiente transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) y transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).
- Configuración de salida: Doble salida independiente de lado bajo.
- Corriente pico de salida: Capaz de suministrar o absorber hasta 2 Amperios de corriente por cada canal.
- Rango de voltaje de alimentación: Funciona de manera segura entre 4.5 Voltios y 35 Voltios.
- Tiempos de respuesta ultrarrápidos:
- Tiempo de subida: Típicamente 7.5 Nanosegundos.
- Tiempo de caída: Típicamente 6.5 Nanosegundos.
- Retardo de propagación: Máximo de 75 Nanosegundos.
- Consumo de corriente en reposo: Extremadamente bajo, de apenas 10 Microamperios.
- Tipo de entrada: Lógica no inversora, compatible con niveles de voltaje de 0.8 Voltios para el estado bajo y 3 Voltios para el estado alto.
- Rango de temperatura de operación: Desde -40 hasta +125 grados Celsius.
- Encapsulado: Circuito integrado de contorno pequeño de 8 pines con almohadilla expuesta (8-SOIC-EP) para una mejor disipación térmica.
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