El IRLR110PBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. este componente destaca por su capacidad de conmutación rápida y su diseño robusto en un formato de montaje superficial (SMD).
Voltaje Drenaje-Fuente: 100V
Corriente de Drenaje Continua: 4.3 A a una temperatura de carcasa de 25°C
Resistencia en Conducción: Máximo de 540M Ohm (0.54Ohm) con un voltaje puerta-fuente de 5 V
Voltaje de Umbral de Puerta: Entre 1 V y 2 V
Disipación de Potencia Máxima: 25W
Rango de Temperatura: -55 °C a +150 °C
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