El IRLB3034PBF es un transistor de potencia de tipo N-Channel MOSFET de muy alto rendimiento, diseñado para manejar corrientes extremadamente elevadas con una resistencia mínima. Es una opción popular en proyectos de robótica y vehículos eléctricos debido a su capacidad para trabajar con señales de bajo voltaje (nivel lógico).
Voltaje Drenaje-Fuente: 40 V
Corriente de Drenaje Continua:
- Límite del Silicio: Hasta 343 A (a 25 °C).
- Límite del Encapsulado: 195 A (máximo real que soportan los pines físicos).
Resistencia en Conducción:típicamente 1.4 mΩ y máxima de 1.7 mΩ (a 10 V de gate)
Voltaje Umbral del Gate:1.0 V y 2.5 V
Disipación de Potencia: 375 W
Valoraciones
No hay valoraciones aún.