IRGP20B60PDPBF Transistor IGBT

$ 12.500

12 disponibles

El IRGP20B60PDPBF es un transistor IGBT de canal N de alto rendimiento, perteneciente a la familia WARP2 de International Rectifier (ahora Infineon). Está diseñado para sustituir a los MOSFET de potencia en aplicaciones de conmutación de muy alta frecuencia.

Especificaciones Técnicas Principales
  • Voltaje Colector-Emisor: 600 Voltios.
  • Corriente de Colector Continua: 20 Amperios (medido a 100° Celsius) / hasta 40 Amperios (a 25° Celsius).
  • Voltaje de Saturación Colector-Emisor: 2.05 Voltios (valor típico en estado de conducción).
  • Disipación de Potencia Máxima: 215 Vatios.
  • Diodo de Recuperación Ultra Rápida: Incluido internamente en paralelo para protección y eficiencia en conmutación.
  • Frecuencia de Operación: Optimizado para rangos altos, operando eficientemente hasta los 150 Kilohertz.
  • Encapsulado: Tipo Transistor Out-line 247 (diseño sin plomo, indicado por el sufijo PBF).

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SKU: 53004 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El IRGP20B60PDPBF es un transistor IGBT de canal N de alto rendimiento, perteneciente a la familia WARP2 de International Rectifier (ahora Infineon). Está diseñado para sustituir a los MOSFET de potencia en aplicaciones de conmutación de muy alta frecuencia.

Usos en Electrónica Industrial
  • Fuentes de Alimentación Conmutadas: Equipos industriales que requieren transformar energía a muy alta frecuencia para reducir el tamaño de los componentes magnéticos.
  • Correctores de Factor de Potencia: Circuitos que mejoran la eficiencia del consumo eléctrico en grandes plantas industriales.
  • Inversores de Soldadura: Máquinas de soldar que necesitan una respuesta rápida y un diseño compacto.
  • Sistemas de Telecomunicaciones: Rectificadores y convertidores de potencia para estaciones de transmisión.

Información adicional

Voltaje Colector-Emisor

600 Voltios

Corriente de Colector Continua

20 Amperios

Voltaje de Saturación Colector-Emisor

2.05 Voltios

Disipación de Potencia Máxima

215 Vatios

Diodo de Recuperación Ultra Rápida

 Incluido internamente en paralelo para protección y eficiencia en conmutación.

Frecuencia de Operación

Optimizado para rangos altos, operando eficientemente hasta los 150 Kilohertz.

Encapsulado

 Tipo Transistor Out-line 247 (diseño sin plomo, indicado por el sufijo PBF)

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