El IRGBC30F es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de tecnología de canal N. Es una opción clásica para aplicaciones de conmutación de potencia donde se busca combinar la facilidad de manejo de un MOSFET con las bajas pérdidas de conducción de un transistor bipolar.
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 600 Voltios (Es la tensión máxima que puede soportar cuando está apagado).
- Corriente Continua del Colector: 31 Amperios (Capacidad de flujo de corriente a una temperatura ambiente de 25 grados Celsius).
- Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor: 2.2 Voltios (Es la caída de voltaje que ocurre cuando el transistor está totalmente encendido; un valor bajo significa que se calienta menos).
- Voltaje Máximo entre Puerta y Emisor: Más o menos 20 Voltios (Es el límite de voltaje que puedes aplicar a la patilla de control).
- Disipación de Potencia Máxima: 100 Vatios (La cantidad de calor total que el componente puede liberar antes de dañarse, siempre que tenga un buen disipador).
- Temperatura de Operación: Desde 55 grados bajo cero hasta 150 grados Celsius.
- Tipo de Encapsulado: TO-220 (Es el formato físico estándar de tres patillas con una pestaña metálica para atornillar a un enfriador).
- Velocidad de Conmutación: Optimizado para frecuencias de hasta 5 kilohercios (Ideal para aplicaciones de velocidad moderada).
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