El IRG4PF50WPBF es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N, diseñado específicamente por Infineon (antes International Rectifier) para aplicaciones que requieren una conmutación extremadamente rápida. Pertenece a la serie «Warp Speed», lo que significa que está optimizado para funcionar en frecuencias de entre 20 y 100 kilohercios.
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 900 Voltios (Es la tensión máxima que puede bloquear cuando no está conduciendo).
- Corriente Continua del Colector (a 25 grados): 51 Amperios.
- Corriente Continua del Colector (a 100 grados): 28 Amperios (Esta es la capacidad de corriente real en condiciones de trabajo con calor).
- Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor: 2.25 a 2.7 Voltios (Es la pequeña pérdida de voltaje cuando el transistor está encendido al máximo).
- Disipación de Potencia Máxima: 200 Vatios.
- Voltaje Máximo en la Puerta de Control: Más o menos 20 Voltios.
- Tipo de Encapsulado: TO-247AC (Un formato grande de tres patillas diseñado para una excelente disipación de calor).
- Rango de Temperatura de Trabajo: Desde 55 grados bajo cero hasta 150 grados Celsius.
- Tiempo de Caída (Fall Time): 220 nanosegundos (Indica qué tan rápido puede apagarse por completo).
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