El IRG4BC30KD es un transistor IGBT de canal N. Este modelo es de tipo «Short Circuit Rated», lo que significa que tiene una resistencia estructural diseñada para soportar cortocircuitos temporales, lo que lo hace muy confiable en entornos industriales severos.
Especificaciones Técnicas Principales
- Voltaje Colector-Emisor: 600 Voltios.
- Corriente de Colector Continua: 16 Amperios (medido a 100° Celsius) / hasta 28 Amperios (a 25° Celsius).
- Voltaje de Saturación Colector-Emisor: 2.1 Voltios (valor típico en estado de conducción).
- Disipación de Potencia Máxima: 100 Vatios.
- Diodo de Recuperación Ultra Rápida: Incluido internamente en paralelo para proteger el transistor de corrientes inversas.
- Resistencia a Cortocircuito: Garantizada por un tiempo de 10 microsegundos.
- Encapsulado: Tipo Transistor Out-line 220.
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