El IRFR5305 es un transistor MOSFET de potencia de canal P que utiliza la tecnología HEXFET® de Infineon (originalmente de International Rectifier). Está diseñado para ofrecer una resistencia en conducción extremadamente baja y una conmutación rápida, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de energía y control de carga.
Voltaje Drenaje-Fuente: -55 V
Corriente de Drenaje Continua: -31 A
Resistencia en Conducción: 65 Ohm
Voltaje de Umbral de Puerta: Entre -2.0 V y -4.0 V
Disipación de Potencia: 110 W
Encapsulado: D-PAK (TO-252AA)
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