El IRFR220N es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N que utiliza la tecnología HEXFET® de Infineon (anteriormente International Rectifier). Está diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia, especialmente en convertidores DC-DC de alta frecuencia.
Voltaje Drenaje-Fuente: 200 V
Corriente de Drenaje Continua: 5.0 A
Resistencia en Conducción: Máximo de 600 Ohm
Voltaje de Umbral de Puerta: Entre 2.0 V y 4.0 V
Disipación de Potencia:43 W
Encapsulado: D-PAK (TO-252AA)
Valoraciones
No hay valoraciones aún.