El IRFR1205 es un transistor MOSFET de potencia de canal N que utiliza la tecnología HEXFET® de quinta generación, originalmente desarrollada por International Rectifier (ahora parte de Infineon). Es un componente robusto diseñado para conmutación rápida y baja resistencia, ideal para aplicaciones que requieren alta eficiencia en un tamaño compacto.
Voltaje Drenaje-Fuente: 55 V
Corriente de Drenaje Continua: 44 A
Resistencia en Conducción: Máximo de 27 Ohm
Voltaje de Umbral de Puerta: Máximo de 4.0 V
Disipación de Potencia: Hasta 107 W
Encapsulado: D-PAK (TO-252AA)
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