$ 8.500
2 disponibles
El IRFP4232PBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N específicamente para aplicaciones de alta velocidad y recuperación de energía, como las encontradas en paneles de plasma (PDP).
Voltaje Drenaje-Fuente: 250V
Corriente de Drenaje Continua:60A
Corriente de Pico Repetitiva: 117A
Resistencia en estado encendido: Típicamente 30 Ohm (0.030 Ohm ) con un máximo de 35.7 Ohm
Disipación de Potencia: 430W a 25°C
Temperatura de Operación: 175°C
2 disponibles
El IRFP4232PBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N específicamente para aplicaciones de alta velocidad y recuperación de energía, como las encontradas en paneles de plasma (PDP).
| Voltaje Drenaje-Fuente | 250V |
|---|---|
| Corriente de Drenaje Continua | 60A |
| Corriente de Pico Repetitiva | 117A |
| Resistencia en estado encendido | Típicamente 30 Ohm (0.030 Ohm ) con un máximo de 35.7 Ohm |
| Disipación de Potencia | 430W a 25°C |
| Temperatura de Operación | 175°C |
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