El IRFP3710 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia. Utiliza la tecnología avanzada HEXFET para lograr una resistencia en estado encendido extremadamente baja, lo que minimiza las pérdidas de energía y el calor generado.
Voltaje Drenaje-Fuente: 100V
Corriente de Drenaje Continua: Hasta 57A (a 25°C)
Resistencia en Encendido: 23mΩ a 25mΩ.
Disipación de Potencia: 200W
Encapsulado: TO-247
Temperatura de Operación:-55°C a +175°C.
Voltaje de Umbral de Puerta :2V y 4V
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