El IRFP2907 es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento. Utiliza la tecnología HEXFET® para lograr una resistencia en conducción extremadamente baja, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de alta corriente y gestión de energía.
- Voltaje Drenaje-Fuente: 75V.
- Corriente de Drenaje Continua: Hasta 209A a una temperatura de carcasa de 25°C (aunque el límite físico del encapsulado suele ser menor, alrededor de 90A para operación segura prolongada).
- Resistencia en Conducción: Típicamente 4.5 mΩ a un voltaje de compuerta de 10V.
- Voltaje de Umbral de Compuerta : Entre 2.0V y 4.0V.
- Disipación de Potencia Máxima: 470W (algunas fuentes indican 330W dependiendo de la variante específica y condiciones de montaje).
- Encapsulado: TO-247AC (montaje a través de orificio), optimizado para disipación térmica robusta.
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