El IRFD9220 es un transistor de potencia MOSFET de canal P de -200 V diseñado para conmutación rápida y aplicaciones de regulación de voltaje de bajo consumo. su característica física más notable es su encapsulado HVMDIP de 4 pines (estilo DIP de inserción de bajo costo), optimizado para procesos de inserción automática en placas de circuito impreso.
Especificaciones Técnicas Clave
- Voltaje Drenaje-Fuente: -200 V
- Corriente Continua de Drenaje: -560 mA (0.56 A) a una temperatura ambiente de 25 °C
- Resistencia en Estado Activo: 1.5 Ω máximo
- Carga de Compuerta Total: Máxima de 15 nC
- Disipación de Potencia Máxima: 1 W (el diseño de doble drenaje actúa como puente térmico hacia la pista de la PCB)
- Rango de Temperatura: Operación de -55 °C a 150 °C
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