IRFB4710 Transistor Mosfet

$ 12.500

15 disponibles

El IRFB4710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N. Es un componente de alta capacidad, optimizado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como inversores y controladores de motores.

Voltaje Drenaje-Fuente  100 V
Corriente de Drenaje Continua  75 A
Resistencia en Encendido  Máximo de 14 m
Carga de Puerta  110 nC (típica) / 170 nC (máxima)
Disipación de Potencia 200 W
Encapsulado TO-220AB (Through Hole)
Temperatura de Operación -55 °C a +175 °C

15 disponibles

SKU: 34000 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El IRFB4710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N. Es un componente de alta capacidad, optimizado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como inversores y controladores de motores.

Características y Beneficios
  • Eficiencia en Conmutación: Su baja carga de puerta, ayuda a reducir las pérdidas durante la conmutación rápida, permitiendo que el circuito trabaje a frecuencias más altas sin sobrecalentarse excesivamente.
  • Capacidad de Corriente: Soporta hasta 300 A en pulsos cortos, lo que lo hace resistente ante picos momentáneos de carga.
  • Estado del Producto: Actualmente está catalogado como obsoleto o descontinuado por el fabricante original, aunque todavía se encuentra disponible en stock a través de distribuidores secundarios y especializados en excedentes.

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente 

100 V

Corriente de Drenaje Continua 

75 A 

Resistencia en Encendido 

Máximo de 14 m

Carga de Puerta 

110 nC (típica) / 170 nC (máxima)

Disipación de Potencia

200 W 

Encapsulado

TO-220AB (Through Hole)

Temperatura de Operación

-55 °C a +175 °C

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