El IRFB4115PBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N de la serie HEXFET fabricado por Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier). Este componente está diseñado para aplicaciones que requieren una conmutación de alta velocidad y una eficiencia extrema gracias a su baja resistencia interna.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 150 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 104 A |
| Resistencia en Encendido | Típica de 9.3 m/ Máxima de 11 m |
| Disipación de Potencia | 380 W |
| Carga de Puerta | 77 nC (típica) / 120 nC (máxima) |
| Encapsulado | TO-220AB (Through Hole) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +175 °C |
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