El IRFB4110PBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento. Es reconocido en la industria por su bajísima resistencia interna y su capacidad para manejar corrientes extremadamente altas, lo que lo convierte en un componente estándar para aplicaciones de potencia pesada.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 100 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 180 A (limitado por silicio) / 120 A (limitado por el paquete) |
| Resistencia en Encendido | Típica de 3.7 m/ Máxima de 4.5 m |
| Disipación de Potencia | 370 W |
| Carga de Puerta | 150 nC (típica) / 210 nC (máxima) |
| Encapsulado | TO-220AB (Through Hole) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +175 °C |
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