IRFB4020PBF Transistor mosfet

$ 8.500

10 disponibles

El IRFB4020PBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N de la serie HEXFET®, fabricado por Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier). Está diseñado específicamente para optimizar el rendimiento en amplificadores de audio Clase D, logrando una alta eficiencia y baja distorsión armónica (THD).

Voltaje Drenaje-Fuente 200 V
Corriente de Drenaje Continua  18 A
Resistencia en Encendido 80 (típica) / 100 m(máxima)
Carga de Puerta  18 nC (típica) / 29 nC (máxima)
Disipación de Potencia  100 W
Temperatura de Operación  -55 °C a +175 °C
Encapsulado TO-220AB (Through Hole)

10 disponibles

SKU: 33000 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El IRFB4020PBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N de la serie HEXFET®, fabricado por Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier). Está diseñado específicamente para optimizar el rendimiento en amplificadores de audio Clase D, logrando una alta eficiencia y baja distorsión armónica (THD).

Además de su uso principal en audio, este MOSFET es versátil para otros sistemas de potencia:
Amplificadores de Audio Clase D: Para sistemas de sonido profesionales y domésticos.
  • Convertidores DC-DC: Especialmente en sistemas alimentados por baterías.
  • Controladores de Motores: En aplicaciones que requieren conmutación rápida y voltajes de hasta 200V.
  • Sistemas de Alimentación: Configuraciones Full-Bridge y Push-Pull.

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente

200V

Corriente de Drenaje Continua 

18A

Resistencia en Encendido

80 (típica) / 100 m(máxima)

Carga de Puerta 

18 nC

Disipación de Potencia 

100 W

Temperatura de Operación 

-55 °C a +175 °C

Encapsulado

TO-220AB (Through Hole)

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