El IRFB38N20D es un transistor MOSFET de potencia de canal N de la serie HEXFET®, diseñado originalmente por International Rectifier (ahora parte de Infineon Technologies). Este componente destaca por su capacidad de manejar voltajes y corrientes elevados con una resistencia interna baja, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad en fuentes de poder y sistemas industriales.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 200 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 43 A / 30A |
| Resistencia en Encendido | Máximo de 54 m |
| Carga de Puerta | 60 nC (típica) / 91 nC (máxima) |
| Disipación de Potencia | 300 W |
| Encapsulado | TO-220AB (Through Hole) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +175 °C |
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