El IRF8113GPBF es un transistor de potencia MOSFET de canal N de 30 V y 17.2 A de la familia HEXFET. este componente está optimizado específicamente para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación y reguladores de voltaje internos de procesadores para computadoras portátiles (Notebooks).
La letra G en su número de parte indica una variante con encapsulado totalmente libre de halógenos (Halogen-Free), sumado al estándar de protección ecológica libre de plomo (PBF).
Especificaciones Técnicas Clave
- Voltaje Drenaje-Fuente: 30 V
- Corriente Continua de Drenaje : 17.2 A a una temperatura ambiente de 25 °C Resistencia en Estado Activo : Ultra baja para disminuir pérdidas térmicas:
- Máximo 5.6 mΩ
- Máximo 6.8 mΩ
- Carga de Compuerta Total : Típica de 24 nC, lo que permite conmutaciones extremadamente veloces con controladores pequeños.
- Disipación de Potencia Máxima : 2.5 W
- Encapsulado: SOIC-8 (Montaje superficial de 8 pines).
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