El IRF7470PBF es un transistor de potencia MOSFET de canal N con tecnología HEXFET®. Está optimizado específicamente para tareas de rectificación síncrona en convertidores CC-CC de alta frecuencia y aplicaciones de gestión de energía.
Especificaciones Técnicas Principales
- Polaridad del Transistor: Canal N.
- Voltaje Máximo Drenaje-Fuente: 40 V.
- Corriente Continua de Drenaje: 10 A (a 25 °C).
- Resistencia en Estado Activo: Muy baja, máximo 13 mΩ.
- Voltaje Máximo Compuerta-Fuente: ± 12 V.
- Carga de Compuerta: Típicamente 29 nC (a 4.5 V), brindando una impedancia de compuerta ultra baja para conmutaciones rápidas.
- Disipación de Potencia Máxima: 2.5 W (a temperatura ambiente).
- Encapsulado: Montaje superficial SOIC-8 (8-SOIC).
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