IRF7470 Transistor De Potencia MOSFET De Canal N

$ 8.500

5 disponibles

El IRF7470 es un transistor de potencia MOSFET de canal N de alta eficiencia, principalmente para aplicaciones de rectificación síncrona en fuentes conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC de alta frecuencia.
Especificaciones Técnicas Clave
  • Voltaje Drenaje-Fuente: Máximo de 40 V.
  • Corriente Continua de Drenaje: Hasta 10 A (a una temperatura ambiente de 25 °C).
  • Resistencia en conducción: Extremadamente baja, típicamente 13 mΩ (0.013 ohmios) cuando se activa con un voltaje de compuerta de 10 V.
  • Voltaje Compuerta-Fuente: Máximo de ±12 V.
  • Disipación de Potencia Máximo: 2.5 W.
  • Encapsulado: Formato de montaje superficial SO-8 (8 pines).

5 disponibles

SKU: 90000 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El IRF7470 es un transistor de potencia MOSFET de canal N de alta eficiencia, principalmente para aplicaciones de rectificación síncrona en fuentes conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC de alta frecuencia.

Usos comunes:

  • Rectificación síncrona: Reemplaza diodos para mejorar la eficiencia en salidas de fuentes.
  • Convertidores DC-DC Buck: Regula voltajes bajos en placas madre y tarjetas gráficas.
  • Protección de baterías (BMS): Corta la energía ante fallas en paquetes de hasta 24V.
  • Control de motores: Maneja la velocidad por PWM de motores y ventiladores de 12V/24V.
  • Interruptores de carga: Actúa como relé electrónico para apagar etapas de un circuito.

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente

40 V

Corriente Continua de Drenaje

10 A

Resistencia en conducción

13 mΩ (0.013 ohmios)

Voltaje Compuerta-Fuente

±12 V

Disipación de Potencia Máximo

2.5 W

Encapsulado

SO-8 (8 pines)

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Sé el primero en valorar “IRF7470 Transistor De Potencia MOSFET De Canal N”

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *

Título

Ir a Arriba