El IRF6648TR1PBF es un transistor de potencia MOSFET de canal N de 60 V y 86 A que utiliza la tecnología HEXFET de International Rectifier. Su característica más distintiva es su encapsulado metálico DirectFET (tamaño tipo MN), diseñado con un perfil ultra bajo de menos de 0.7 mm y compatibilidad con enfriamiento por doble cara (disipación térmica directa por la parte superior e inferior), reduciendo drásticamente la resistencia térmica del sistema.
Especificaciones Técnicas Clave
- Voltaje Drenaje-Fuente: 60 V
- Corriente Continua de Drenaje : 86 A a una temperatura de carcasa de 25 °C
- Resistencia en estado activo : Ultra baja, máximo de 7 mΩ
- Voltaje de Umbral de Compuerta: Máximo 4.9 V
- Carga de Compuerta Total: Típica/Máxima de 50 nC a 10 V
- Disipación de Potencia Máxima : 89 W (con refrigeración en carcasa)
- Rango de Temperatura de Operación: -40 °C a 150 °C
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