El IRF6614TRPBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N que utiliza la tecnología HEXFET® de Infineon (anteriormente International Rectifier). Se distingue por su avanzado encapsulado DirectFET™, diseñado para ofrecer una resistencia extremadamente baja y permitir un enfriamiento por ambos lados del componente.
Voltaje Drenaje-Fuente: 40 V
Corriente de Drenaje Continua: 12.7 A
Resistencia en Conducción: 5.9 m Ohm
Carga de Puerta: 19 nC
Encapsulado: DirectFET™ ST



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