IRF6614TRPBF Transistor Mosfet

$ 58.000

4 disponibles

El IRF6614TRPBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N que utiliza la tecnología HEXFET® de Infineon (anteriormente International Rectifier). Se distingue por su avanzado encapsulado DirectFET™, diseñado para ofrecer una resistencia extremadamente baja y permitir un enfriamiento por ambos lados del componente.

Voltaje Drenaje-Fuente: 40 V

Corriente de Drenaje Continua:  12.7 A 

Resistencia en Conducción: 5.9 m Ohm

Carga de Puerta: 19 nC

Encapsulado: DirectFET™ ST

4 disponibles

SKU: 37001 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El IRF6614TRPBF es un transistor MOSFET de potencia de canal N que utiliza la tecnología HEXFET® de Infineon (anteriormente International Rectifier). Se distingue por su avanzado encapsulado DirectFET™, diseñado para ofrecer una resistencia extremadamente baja y permitir un enfriamiento por ambos lados del componente.

Este transistor está optimizado para aplicaciones que requieren alta eficiencia y frecuencias elevadas, tales como:
  • Convertidores DC-DC: Ideal para reguladores tipo «buck» síncronos que alimentan procesadores modernos.
  • Gestión de Energía: Utilizado en sistemas donde el espacio es crítico debido a su huella similar a la de un Micro-8.
  • Disipación Térmica: Su diseño permite transferir calor directamente a un disipador superior o a través de la PCB, mejorando la resistencia térmica en un 80% comparado con paquetes plásticos tradicionales.

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente

40 V

Corriente de Drenaje Continua

12.7 A

Resistencia en Conducción

5.9 m Ohm

Carga de Puerta

19 nC

Encapsulado

DirectFET™ ST

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