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El IRF150 es un MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, diseñado originalmente para aplicaciones militares, aeroespaciales e industriales que requieren una alta confiabilidad. Se distingue por su encapsulado metálico TO-3, que ofrece un sellado hermético contra contaminantes ambientales.}
Voltaje Drenaje-Fuente: 100V
Corriente de Drenaje Continua :38A a 40A
Resistencia en Encendido: 45mΩ y 55mΩ.
Disipación de Potencia:150W
Voltaje de Umbral de Puerta: 2V y 4V.
Encapsulado: TO-3
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El IRF150 es un MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, diseñado originalmente para aplicaciones militares, aeroespaciales e industriales que requieren una alta confiabilidad. Se distingue por su encapsulado metálico TO-3, que ofrece un sellado hermético contra contaminantes ambientales.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 100V |
|---|---|
| Corriente de Drenaje Continua | 38A a 40A |
| Resistencia en Encendido | 45mΩ y 55mΩ. |
| Disipación de Potencia | 150W |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 2V y 4V. |
| Encapsulado | TO-3 |
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