El IPW60R041C6 es un transistor MOSFET de potencia de canal N de ultra alto rendimiento. Utiliza tecnología de superunión (SJ) para maximizar la eficiencia en aplicaciones de alta potencia gracias a su bajísima resistencia en estado activo.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 600 V (Máx. 650 V) |
| Corriente de Drenaje Continua | 77.5 A |
| Resistencia en Encendido | Típica de 37 m y máxima de 41 m |
| Carga de Puerta | 290 nC |
| Disipación de Potencia | 481 W |
| Encapsulado | TO-247-3 (montaje a través de orificio) |
| Temperatura de Operación | Desde -55 °C hasta +150 °C |
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