El IPP60R125CP es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alta eficiencia. Pertenece a la reconocida familia CoolMOS™ CP, diseñada especialmente para topologías de conmutación rápida y dura (hard switching), muy común en fuentes de alimentación para servidores, telecomunicaciones y adaptadores de alta gama.
| Parámetro | Valor Técnico | Descripción |
|---|---|---|
| Vds (Máx.) | 600 V (650 V | Voltaje máximo Drenaje-Fuente |
| Rds (on) (Máx.) | 0.125 Ω (125 mΩ) | Resistencia en estado de conducción a Vgs=10 |
| ID(Cont.) | 25 A | Corriente de drenaje continua máxima |
| ID,pulse | 82 A | Corriente de drenaje máxima en pulsos |
| Qg,tyP | 53 nC | Carga de compuerta total típica (Ultra baja) |
| Ptot | 208 W | Disipación de potencia total a Tc = 25° |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | Paquete estándar de 3 pines con pestaña metálica |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.