El IPP60R125C6 es un MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje. Se destaca por su tecnología de «superunión» que permite una resistencia interna muy baja y una conmutación extremadamente rápida, ideal para fuentes de alimentación de alta eficiencia. pérdidas de conmutación extremadamente reducidas, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.
Voltaje Drenaje-Fuente: 600 V
Corriente de Drenaje Continua:30 A
Resistencia en Encendido :Típica de 0.11 (110 m) y máxima de 125 m
Carga de Puerta:96 nC
Disipación de Potencia: 219 W
Encapsulado:TO-220-3
Temperatura de Operación: Desde -55 °C hasta +150 °C
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