El IPD30N10S3L-34 es un MOSFET de potencia de canalN, perteneciente a la familia OptiMOS-T. Está diseñado bajo estándares de calificación automotriz (AEC-Q101), lo que garantiza una alta fiabilidad en entornos exigentes.
- Voltaje Drenaje-Fuente: 100 Voltios.
- Corriente de Drenaje Continua: 30 Amperios (a una temperatura de carcasa de 25 grados centígrados).
- Resistencia en Estado de Conducción (RDS(on)): 34 miliohmios (máxima).
- Voltaje Umbral de la Compuerta: Entre 1.2 y 2.4 Voltios.
- Voltaje Compuerta-Fuente: ±20 Voltios.
- Disipación de Potencia: 74 Vatios.
- Temperatura de Operación: Desde -55 hasta +175 grados centígrados.
- Encapsulado: TO-252 (también conocido como DPAK), diseñado para montaje en superficie.
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