El IPB47N10S-33 es un transistor de efecto de campo MOSFET de potencia de canal N, fabricado por Infineon Technologies bajo su línea de tecnología SIPMOS. Este componente está diseñado para el manejo de alta potencia y conmutación rápida en entornos industriales y de automoción.
Características Técnicas Principales
| Parámetro Técnico | Especificación / Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N (Modo de enriquecimiento) |
| Voltaje Drenador-Fuente | 100 V (Máximo admisible) |
| Corriente Continua de Drenaje | 47 A (A una temperatura controlada) |
| Resistencia en Estado Activo | Extremadamente baja, 33 mΩ (0.033 Ω) |
| Voltaje Puerta-Fuente | ± 20 V |
| Disipación de Potencia Máxima | 175 W |
| Temperatura de Operación | Soporta altas temperaturas, desde -55 °C hasta 175 °C |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (PG-TO263-3), diseñado para montaje superficial (SMD) |
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