El IKW40N60H3 (marcado como K40H603) es un transistor IGBT de alta velocidad. Está diseñado para aplicaciones que requieren una conmutación extremadamente rápida y pérdidas de energía mínimas.
Especificaciones Técnicas Principales
- Voltaje Colector-Emisor: 600 Voltios.
- Corriente de Colector Continua: 40 Amperios (medido a 100° Celsius) / hasta 80 Amperios (a 25° Celsius).
- Voltaje de Saturación Colector-Emisor: 1.8 Voltios (valor típico en conducción).
- Disipación de Potencia Máxima: 306 Vatios.
- Temperatura de la Unión: Hasta 175 Grados Celsius.
- Diodo de Recuperación Rápida: Incluido internamente para protección contra voltajes inversos.
- Encapsulado: Tipo Transistor Out-line 247.
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