El IHW30N160R5XKSA1 es una versión avanzada y específica del transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Este modelo es una evolución del anterior (R2) y está optimizado para ofrecer una eficiencia extrema en aplicaciones de conmutación suave.
Especificaciones Técnicas:
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 1600 Voltios.
- Corriente Continua de Colector: 30 Amperios (medidos a una temperatura de 100 grados Celsius).
- Corriente Máxima de Colector (Pulsada): 90 Amperios.
- Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor: 1.75 Voltios (valor típico), lo que reduce el calor generado durante el funcionamiento.
- Voltaje Máximo entre Puerta y Emisor: más o menos 20 Voltios.
- Potencia Total Disipada: 333 Vatios (capacidad de manejo de calor del componente).
- Temperatura Máxima de la Unión: 175 Grados Celsius.
- Diodo de Conducción Inversa Integrado: Sí, incluye un diodo optimizado para reducir pérdidas en circuitos resonantes.
- Tipo de Encapsulado: TO-247-3 (tres terminales, diseño estándar para montaje en disipadores de calor).
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