El HY3610P es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, fabricado comúnmente por HUAYI Microelectronics (u Hooyi). Está diseñado para aplicaciones que requieren una capacidad de corriente muy alta y baja resistencia interna, como en sistemas de gestión de energía e inversores.
Voltaje Drenaje-Fuente:100V
Corriente de Drenaje Continua :160A
Resistencia en Encendido: Típica de 4.5 m y máxima de 5.5 ma
Voltaje Umbral de Puerta: Entre 2.0 V y 4.0 V.
Carga de Puerta Total: 201 nC
Encapsulado: TO-220-3L
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