HUFA75307D3 Transistor Mosfet

$ 8.500

12 disponibles

El HUFA75307D3 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado originalmente por Fairchild Semiconductor (ahora parte de onsemi) bajo la tecnología UltraFET. Es valorado en aplicaciones de conmutación de alta eficiencia por su bajísima resistencia en estado activo en relación con su tamaño.

Voltaje Drenaje-Fuente 55 Voltios (V)
Corriente Continua de Drenaje 15 Amperios (A)
Resistencia en Encendido  0.090 Ohmios
Voltaje Umbral de Puerta  2.0 (Mín) a 4.0 (Máx) Voltios (V)
Carga de Puerta Total  16 (Típico) / 20 (Máx) Nanoculombios (nC)
Tiempo de Encendido  60 Nanosegundos (ns)
Encapsulado TO-252AA (DPAK) SMD

12 disponibles

SKU: 43009 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El HUFA75307D3 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado originalmente por Fairchild Semiconductor (ahora parte de onsemi) bajo la tecnología UltraFET. Es valorado en aplicaciones de conmutación de alta eficiencia por su bajísima resistencia en estado activo en relación con su tamaño.

Aplicaciones y Rendimiento:
Este dispositivo está diseñado para circuitos donde la eficiencia energética es crítica. Gracias a su tecnología UltraFET, ofrece una carga de puerta reducida, lo que minimiza las pérdidas por conmutación. Se utiliza comúnmente en:
  • Reguladores y convertidores de conmutación.
  • Controladores de motores y relevadores.
  • Sistemas de gestión de energía en productos portátiles o alimentados por batería.

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente

55V

Corriente Continua de Drenaje

15A

Resistencia en Encendido 

0.090 Ohmios 

Voltaje Umbral de Puerta 

2.0 (Mín) a 4.0 (Máx) V

Carga de Puerta Total 

16 (Típico) / 20 (Máx)nC

Tiempo de Encendido 

60ns

Encapsulado

TO-252AA (DPAK)

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