El HGTG40N60B3 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia y voltaje. Este componente combina la alta impedancia de entrada de un MOSFET con las bajas pérdidas de conducción de un transistor bipolar.
- Voltaje Colector-Emisor : Máximo de 600 V.
- Corriente de Colector Continua : Hasta 70 A
- Corriente de Colector Pulsada: Hasta 330 A.
- Voltaje de Saturación: Típicamente 1.4 V a 1.5 V (bajo condiciones de 40 A y 15 V en la puerta).
- Potencia de Disipación Máxima: Aproximadamente 290 W.
- Encapsulado: TO-247 (3 pines) para montaje a través de orificio (through-hole).
- Rango de Temperatura de Operación
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