El HGTG30N120D2 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y voltaje. Es un componente robusto diseñado para aplicaciones industriales pesadas.
- Voltaje Colector-Emisor: 1200V
- Corriente de Colector: 60A a 25°C 30A a 110°C
- Voltaje de Saturación : 3.2V a 30A
- Diodo Integrado: Incluye un diodo de recuperación hiperrápida en antiparalelo (indicado por el sufijo D2), esencial para proteger el transistor contra picos de voltaje en cargas inductivas.
- Encapsulado: TO-247 (montaje por orificio pasante).
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