El HGTG10N120BND es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N con tecnología de no perforación (NPT), diseñado para aplicaciones de alta tensión y potencia. Este componente incluye un diodo hiperrápido antiparalelo integrado, lo que lo hace ideal para circuitos de conmutación inductiva.
- Voltaje Colector-Emisor: Máximo de 1200 V.
- Corriente de Colector Continua: 35 A
- Corriente de Colector Pulsada: Hasta 80 A.
- Voltaje de Saturación: Típicamente 2.45 V
- Potencia de Disipación Máxima: 298 W
- Encapsulado: TO-247-3.
- Rango de Temperatura: -55°C a +150°C
Valoraciones
No hay valoraciones aún.