El H7N1004FM es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para conmutación de alta velocidad en aplicaciones de potencia. Se caracteriza por su baja resistencia en conducción y su capacidad para operar con voltajes de compuerta bajos.
- Voltaje Drenaje-Fuente: 100 V.
- Corriente de Drenaje Continua: 25 A.
- Resistencia en Conducción: Típicamente 25 mΩ (0.025 ohms).
- Voltaje de Umbral de Compuerta: Compatible con unidades de 4.5 V, lo que permite su uso con circuitos de control de bajo voltaje.
- Encapsulado: TO-220FM (Full Mold), que está aislado térmicamente para facilitar el montaje en disipadores sin necesidad de aislantes adicionales.
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